Физика | 5 - 9 классы
Как создается дырочная проводимость в примесном полупроводнике.
Пожалуйста помогите, очень срочно1)электрическая проводимость(примеси)2)полупроводниковый диод?
Пожалуйста помогите, очень срочно
1)электрическая проводимость(примеси)
2)полупроводниковый диод.
Что представляет собой электронно - дырочный переход?
Что представляет собой электронно - дырочный переход.
Электропроводность полупроводников в зависимости от температуры и освещенности?
Электропроводность полупроводников в зависимости от температуры и освещенности.
Как изменится проводимость резистора, если его сопратевление уменшится в 4 раза?
Как изменится проводимость резистора, если его сопратевление уменшится в 4 раза?
Зависит ли плотность для проводимости?
Зависит ли плотность для проводимости?
Если зависит, то приведите примеры.
Зачем в ламповом диоде создается вакуум?
Зачем в ламповом диоде создается вакуум?
На каком свойстве полупроводника основывается принцип работы терморезистора?
На каком свойстве полупроводника основывается принцип работы терморезистора?
Помогите с физикой :В четырёхвалентный кремний ввели в качестве примеси в первом случаетрёхвалентный галлий, а во втором – пятивалентный фосфор?
Помогите с физикой :
В четырёхвалентный кремний ввели в качестве примеси в первом случае
трёхвалентный галлий, а во втором – пятивалентный фосфор.
Какой тип проводимости будет основным в полученных полупроводниках?
Пожалуйста с объяснением.
Отметьте правильное утверждение?
Отметьте правильное утверждение.
Сопротивление полупроводников .
А) возрастает с повышением температуры.
Б) уменьшается под действием света.
В) не изменяется при изменениях температуры.
Г) уменьшается как под действием света, так и при повышении температуры.
Что такое Магнитная проводимость?
Что такое Магнитная проводимость?
Эссе.
На этой странице сайта, в категории Физика размещен ответ на вопрос Как создается дырочная проводимость в примесном полупроводнике?. По уровню сложности вопрос рассчитан на учащихся 5 - 9 классов. Чтобы получить дополнительную информацию по интересующей теме, воспользуйтесь автоматическим поиском в этой же категории, чтобы ознакомиться с ответами на похожие вопросы. В верхней части страницы расположена кнопка, с помощью которой можно сформулировать новый вопрос, который наиболее полно отвечает критериям поиска. Удобный интерфейс позволяет обсудить интересующую тему с посетителями в комментариях.
Дырочные полупроводники.
Полупроводник, легированный акцепторной примесью, называют полупроводником дырочного типа (р - типа) проводимости или дырочным полупроводником.
Дырочная проводимость создается в результате легирования полупроводника элементами, имеющими меньшую валентность, чем валентность атомов, из которых состоит полупроводник.
Например, для Si и Ge, являющимися элементами четвертой группы таблицы Менделеева, в качестве акцепторных примесей применяют элементы третьей группы, как правило это 5B, 13Al, 31Ga, 49In.
Замещая узлы кристаллической решетки полупроводника, атомы акцепторной примеси захватывают валентный электрон от соседнего атома кремния для создания ковалентных связей с атомами основного вещества, превращаясь при этом в отрицательно заряженные ионы, и участвуют в создании дополнительных энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника, как показано на рис.
1. 26.
Механизм появления дырочной проводимости иллюстрируется на рис.
1. 26, а.
При образовании химической ковалентной связи с атомами Si или Ge все три валентных электрона атома акцепторной примеси участвуют в образовании ковалентных связей.
Для создания четвертой (незавершенной) химической связи может быть захвачен электрон из ковалентных связей одного из ближайших соседних атомов кремния.
У этого атома, в свою очередь, появляется незавершенная связь с соседним атомом кремния, которая называется дыркой.
У дырки существует слабая электростатическая связь с атомом кремния.
Энергия этой кулоновской связи DWa, как и в случае электронных полупроводников, невелика и составляет всего 0, 01.
0, 07 эВ.
Поэтому для захвата дыркой электрона из ковалентной связи соседнего атома достаточно небольшой энергии, которую электрон может получить за счет тепловых колебаний кристаллической решетки.
В результате обмена электронами между соседними атомами дырка может перемещаться по кристаллу полупроводника, осуществляя при приложении внешнего электрического поля дырочную проводимость.